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[发明专利]利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法-CN201910082292.0有效
发明人：金镇湖;康太京 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法。根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法生成的动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元对各自的第一动态随机存取存储器单元及第二动态随机存取存储器单元共享支撑条及位线插头。由此，根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法所生成的动态随机存取存储器单元阵列，很大程度地减少整体布局面积。并且，在本发明优选实施例的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法中，动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元各自的存储器呈具有多个侧面突出部的多鳍类型，从而很大程度地增加存储器的面积。
利用支撑动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器单元-CN201780075505.6有效
发明人： J·L·麦科勒姆 -专利权人：美高森美SOC公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式随机存取存储器单元，该电阻式随机存取存储器单元包括三个电阻式随机存取存储器装置(102，104，106)，每个电阻式随机存取存储器装置均具有离子源层(156，166，186)和固体电解质层第一电阻式随机存取存储器装置和第二电阻式随机存取存储器装置串联连接，使得两个离子源层或两个固体电解质层均彼此相邻。第三电阻式随机存取存储器装置与第一电阻式随机存取存储器装置和第二电阻式随机存取存储器装置串联连接。
电阻随机存取存储器单元

[发明专利]计算装置以及计算装置的操作方法-CN201310378896.2在审
发明人：朴永辰;丁日奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：示例性实施例可提供一种计算装置，包括：第一随机存取存储器；第二随机存取存储器；存储器控制器，被配置为控制第一随机存取存储器和第二随机存取存储器；处理器，被配置为通过存储器控制器将第一随机存取存储器和第二随机存取存储器用作工作存储器，其中，存储器控制器被配置为访问在第一随机存取存储器和第二随机存取存储器当中通过来自处理器的传送命令选择的一个存储器。
计算装置以及操作方法

[发明专利]静态随机存取存储器阵列以及存储器器件-CN202110680621.9在审
发明人：王屏薇;包家豪;叶主辉;林祐宽;林建隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：提供了静态随机存取存储器阵列以及存储器器件。在一个实施例中，存储器器件包括静态随机存取存储器阵列。静态随机存取存储器阵列包括静态随机存取存储器阵列。静态随机存取存储器阵列包括：第一子阵列，其包括多个第一静态随机存取存储器单元；以及第二子阵列，其包括多个第二静态随机存取存储器单元。多个第一静态随机存取存储器单元中的每个n型晶体管包括第一功函数堆叠件，并且多个第二静态随机存取存储器单元中的每个n型晶体管包括与第一功函数堆叠件不同的第二功函数堆叠件。
静态随机存取存储器阵列以及存储器器件

[发明专利]存储装置管理装置及用于管理存储装置的方法-CN201080057433.0有效
发明人：中井弘人;金井达德 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：根据一个实施例，存储装置管理装置连接到随机存取存储器，并且第一存储装置具有更低的重写计数上限。当随机存取存储器包括一个足够的空闲区域以存储写入数据时，所述写入数据存储到所述随机存取存储器上。以自从上次访问经过时间的降序的顺序选择的随机存取存储器上的数据顺序地复制到第一存储装置，并且在随机存取存储器中先前存储的该复制数据的区域被释放。当读取数据存储到随机存取存储器上时，读取数据从随机存取存储器中读取到处理器。当读取数据存储到第一存储装置时，读取数据复制到随机存取存储器上并从随机存取存储器读取到处理器。
存储装置管理用于方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法-CN202010776346.6在审
发明人：林大钧;蔡旻桦;侯泰成;蔡馥郁;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器结构包含一介电层，一第一磁阻式随机存取存储器、一第二磁阻式随机存取存储器和一第三磁阻式随机存取存储器由右至左设置在介电层上，第二磁阻式随机存取存储器包含一磁性隧穿结，二个间隙分别位于第一磁阻式随机存取存储器和第二磁阻式随机存取存储器之间以及位于第二磁阻式随机存取存储器和第三磁阻式随机存取存储器之间，二个伸张应力材料块分别设置于各个间隙中
磁阻随机存取存储器结构及其制作方法

[发明专利]用于存取动态随机存取存储器的计算系统以及相关存取方法-CN201610850031.5在审
发明人：刘得平 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本发明提供一种用于存取动态随机存取存储器的计算系统以及动态随机存取存储器存取方法。该计算系统包含处理电路，在发送时钟频率切换信号之前发送早期通知信号，其中早期通知信号通知后续时钟频率切换信号的到来以及时钟频率切换信号请求改变动态随机存取存储器时钟的频率；队列，包含N个条目，其中N是正整数，且每个条目储存要被发送到动态随机存取存储器的至少一个地址与相关命令；以及动态随机存取存储器控制器，控制动态随机存取存储器的存取，其中动态随机存取存储器控制器在接收早期通知信号后降低队列的占用率到目标水平本发明提供的用于存取动态随机存取存储器的计算系统以及动态随机存取存储器存取方法能够保证存储器系统的性能。
用于存取动态随机存取存储器计算系统以及相关方法

[发明专利]动态随机存取存储器初始化设定方法-CN200410082578.2有效
发明人：朱修明;何宽瑞;吴宗哲 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器初始化设定方法，适用于多个动态随机存取存储器。首先，根据预定起始参数初始化动态随机存取存储器，检测动态随机存取存储器的个数，得到第一个数。根据动态随机存取存储器的硬件信息而设定最佳化起始参数，根据最佳化起始参数重新初始化动态随机存取存储器。检测动态随机存取存储器的个数，得到第二个数。若第二个数少于第一个数，则改变初始化动态随机存取存储器的起始参数。
动态随机存取存储器初始化设定方法

[发明专利]动态随机存取存储器的测试方法、测试焊盘的设计方法、存储器晶圆-CN201510293319.2在审
发明人：李怀兆;俞大立;方晓东;黄泽 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于动态随机存取存储器的测试方法，包括：提供设置有若干动态随机存取存储器的存储器晶圆，动态随机存取存储器间的切割道上设置有若干测试焊盘，至少两个动态随机存取存储器共用相邻的测试焊盘；选通测试焊盘同时对一个或多个动态随机存取存储器进行晶圆测试本发明增加了动态随机存取存储器有效的版上面积，提高了动态随机存取存储器的测试效率，节省了测试时间。
动态随机存取存储器测试方法设计存储器

[发明专利]包括磁性随机存取存储器的半导体装置-CN201810523369.9在审
发明人：曾皇文;吴正洲;张哲睿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种包括磁性随机存取存储器的半导体装置。磁性随机存取存储器包括多个磁性随机存取存储器单元。多个磁性随机存取存储器单元包括第一类型磁性随机存取存储器单元及第二类型磁性随机存取存储器单元。每个磁性随机存取存储器单元中包括磁性隧道结层，磁性隧道结层包括被钉扎磁性层、隧穿势垒层及自由磁性层。第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的尺寸不同。在一或多个以上及以下实施例中，第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的宽度不同。
磁性随机存取存储器单元磁性随机存取存储器磁性隧道结层结膜半导体装置磁性隧道堆叠被钉扎磁性层隧穿势垒层自由磁性层

[发明专利]随机存取存储器的自检修补装置及其方法、芯片设备-CN202311121586.2在审
发明人：何学文;张坤;杨帆 -专利权人：合肥智芯半导体有限公司;苏州萨沙迈半导体有限公司;上海萨沙迈半导体有限公司;天津智芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种随机存取存储器的自检修补装置及其方法、芯片设备，随机存取存储器的自检修补装置包括：自检电路用以连接随机存取存储器，用于在接收到自检触发信号时，取得随机存取存储器的存取控制权，并对随机存取存储器进行扫描自检并输出修补地址；读写控制电路用于根据系统总线发送的操作地址进行数据存取操作；修补电路分别与自检电路和读写控制电路连接，用于在存在与操作地址匹配的修补地址时，根据匹配的修补地址通过读写控制电路对随机存取存储器中的错误地址进行重映射修补本发明实施例的随机存取存储器的自检修补装置能够实时完成随机存取存储器的自检和修补，减少软硬件资源的开销，提高随机存取存储器的使用寿命。
随机存取存储器自检修补装置及其方法芯片设备

[发明专利]混合式随机存取存储器的系统架构、结构以及其制作方法-CN202010855208.7在审
发明人：许博凯;王慧琳;许清桦;林奕佑;范儒钧;陈宏岳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种混合式随机存取存储器的系统架构、结构以及其制作方法，其中用于单芯片系统的混合式随机存取存储器包含：一半导体基底，其具有一磁阻式随机存取存储器区以及一可变电阻式随机存取存储器区、一第一介电层，位于该半导体基底上、多个可变电阻式随机存取存储器单元位于该可变电阻式随机存取存储器区的该第一介电层中、一第二介电层位于该第一介电层之上、以及多个磁阻式随机存取存储器单元位于该磁阻式随机存取存储器区的该第二介电层中
混合式随机存取存储器系统架构结构及其制作方法

[发明专利]静态随机存取存储器的合并内建自我测试方法-CN201110354643.2有效
发明人：高劲松;王津福 -专利权人：珠海扬智电子科技有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器的合并内建自我测试方法，适用于测试一静态随机存取存储器模块，并包括以下步骤。将静态随机存取存储器模块中属于第一类型的多个第一类静态随机存取存储器组成具有第一内建自我测试群组，其中第一类静态随机存取存储器的尺寸不完全相同。另外，选择性遮住第一内建自我测试群组中的一或多个静态随机存取存储器比特。在第一内建自我测试群组内，利用内建自我测试逻辑电路逐次测试第一类静态随机存取存储器，但不测试已遮住的一或多个静态随机存取存储器比特。
静态随机存取存储器合并自我测试方法

[发明专利]存储器装置及存储器模块-CN201810620354.4在审
发明人：张牧天;牛迪民;郑宏忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器装置及存储器模块。存储器装置包括双晶体管单电容器动态随机存取存储器的阵列以及存储器控制器。动态随机存取存储器单元被排列成多行动态随机存取存储器单元及多列动态随机存取存储器单元。存储器控制器处于存储器装置的内部且耦合到动态随机存取存储器单元的阵列。存储器控制器能够接收被输入到存储器装置的命令且能够响应于所接收的命令来控制对动态随机存取存储器单元的阵列的行主序存取及列主序存取。本发明提供支持行“主序”存取及列“主序”存取二者的动态随机存取存储器架构，以使得可利用实质上相等的速度及效率来对行与列二者进行存取。
存储器装置动态随机存取存储器单元存取存储器控制器动态随机存取存储器存储器模块随机存取存储器单元电容器双晶体管耦合到多列相等架构响应

[发明专利]动态随机存取存储器结构及操作方法-CN00134866.3无效
发明人：简篇 -专利权人：简篇
申请日： 2000-12-05 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：一种适用于静态随机存取存储器相容晶体管的动态随机存取存储器结构与其操作方法。用单一晶体管的静态随机存取存储器结构,可有效地保存动态随机存取存储器存储单元所储存的数据而不至于流失。该结构可在低电压情形下操作,仍可维持动态随机存取存储器存储单元所储存的数据,并可降低整个动态随机存取存储器结构操作所消耗的功率。此结构在待机模式下或是在睡眠模式下,仍可维持动态随机存取存储器存储单元所储存的数据,并可降低整个操作所消耗的功率。
动态随机存取存储器结构操作方法

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